Полупроводниковые соединения по таким показателям, как быстродействие, потребляемая мощность, теплопроводность, ширина запрещенной зоны, радиационная стойкость и некоторые другие, превосходят кремний. Они являются перспективными материалами для создания новых поколений интегральных схем для вычислительной техники и электронных систем военного назначения. Наибольшее значение среди этих материалов имеют соединения элементов III—V групп периодической системы — арсенид галлия (GaAs), фосфиды галлия (GaP) и индия (InP).

[Выходные данные]